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奇夢達與爾必達結盟之分析
§ 產業分類：半導體
§ 產出單位：工研院IEK
§ 日 期：2008/05/14
一、關鍵議題說明
2008年4月24日，爾必達(Elpida)與奇夢達(Qimonda)宣布簽定技術合作意向書(MOU)，共同開發40奈米以下新製程。此項合作計畫中，奇夢達將提供埋入式閘極連結(Buried Wordline)技術，爾必達則將提供堆疊電容(stack capacitor)技術，此項策略技術合作將可結合兩家公司的力量，加速在DRAM 4F2 cell尺寸產品藍圖的發展。兩家公司計畫將在2010 年推出此共同開發、達到40nm世代的創新4F2cell 概念，未來並將進一步推展至30nm世代。
二、議題深度分析
(一) 爾必達與奇夢達合作是雙贏
奇夢達公司總裁暨執行長羅建華(Kin Wah Loh)表示：「此項與爾必達的策略合作是對我們創新Buried Wordline 技術的最大肯定，奇夢達並希望藉由此項合作關係加速小尺寸4F2 cell的推出。此項技術合作為我們兩大DRAM技術領導者創造了絕佳的機會，在研發與未來共同量產的資源上達到更好的經濟規模。」
爾必達社長暨執行長阪本幸雄(Yukio Sakamoto)表示：「我們在研發上持續的努力，使我們能夠在DRAM 技術上保持領先。在目前既艱困又高度競爭的市場環境下，更快及更有效能的研發新技術愈趨重要。我們相信這次與奇夢達共同發展的合作，將更加速與強化我們在技術上的領先，帶領我們邁向DRAM市場中的頂尖地位。」
兩家公司計畫共同發展技術平台及設計規範，以促成產品交換及合資生產的可行性。雙方也鎖定在各自的日本廣島及德國德勒斯登廠，密切合作研發計畫，包括雙方工程師的互換交流。此外，雙方也同意在直通矽晶穿孔技術(Through Silicon Via)及未來記憶體的領域中，尋求共同發展的機會。
(二) 泛爾必達+奇夢達陣營，市佔率可望超越三星
目前全球前五大DRAM廠商(如下表一)為三星(Samsung)佔27.3%、海力士(Hynix)佔21.1%、奇夢達(Qimonda)佔12.4%、爾必達(Elpida)佔11.6%及美光(Micron)佔9.6%。
表一全球前五大DRAM廠商市佔率
全球DRAM產業未來的聯盟變化，很可能成為四分天下(如下表二)：
1.三星(約佔30%)：仍以自主研發為主。
2.海力士(約佔20%)：與茂德的合作關係可能生變。
3.爾必達+奇夢達+力晶+瑞晶+和發+華邦+可能再加上茂德(約佔35%)。
4.美光+南亞科+華亞科+亞美科(約佔20%)。
表二全球DRAM聯盟關係變化
由上可知，泛爾必達+奇夢達陣營的整體市佔率將高達35%，可望超越三星的30%成為全球最大DRAM陣營。
(三) 2008年DRAM邁入70nm量產，導入57nm~65nm先進製程
國際半導體技術發展藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors，ITRS)於2007 Edition的版本中指出，2008年DRAM的製程技術57nm可開始生產，2009年為50nm，2010年為45nm，而40nm為2011年。目前全球DRAM廠商邁入70nm量產，並開始導入57nm~65nm先進製程。
台灣的DRAM製程技術多是向國際大廠技轉為主，隨著技術母廠的動向，台灣的DRAM廠商也會積極跟進。例如華邦2008年4月22日宣布與奇夢達(Qimanda)簽訂堆疊式的65奈米製程技術轉移，以及12吋廠的DRAM產能協議，華邦電將以奇夢達的65奈米技術作為未來生產記憶體的進階製程，12吋廠的部分產能也會持續供給奇夢達，預期2008年底量產。全球以溝槽式製程技術為主的DRAM廠商均逐漸往堆疊式製程技術發展。
表三全球DRAM製程進度表
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